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GeneSiC Semiconductor MBRT40035RL
| Artikelnummer: | MBRT40035RL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3 TOWER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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GeneSiC Semiconductor MBRT40035RL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MBRT40035RL.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 600 mV @ 200 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 35 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse Three Tower Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse Three Tower Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Chassis Mount Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Strom - Sperrleckstrom @ Vr 3 mA @ 35 V Strom - Richt (Io) (pro Diode) 200A MBRT40035RL Einzelheiten PDF [English] MBRT40035RL PDF - EN.pdf -
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